Быстрая коммутация 450A 1200V IGBT-модуля полупроводниковый IGBT-модуль транзисторный igbt-модуль
(0 Отзывы, 0 Оценка)
Выберите цвет:
Выберите размер:
Количество:
Полное описание этого товара
Модуль IGBT YZPST-450HF120TK-G2
полупроводниковый IGBT
возможности
Высокая возможность короткого замыкания, самоограничивающийся ток короткого замыкания
МИКРОСХЕМА IGBT (технология Trench + Field Stop)
VCE (sat) с положительным температурным коэффициентом Быстрое переключение, низкие потери при переключении
Диоды свободного хода с быстрым и плавным восстановлением обратного хода
ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ
Применение с высокочастотной коммутацией
Сварочные преобразователи
Управление движением/сервоуправление
Системы ИБП
АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ TC = 25°C, если не указано иное
Символ
Параметр
Условия испытания
Значения
Единица измерения
IGBT
V CES
Напряжение коллектор-эмиттер
T Вдж = 25 °C
1200
V
V GES
Напряжение затвора - эмиттера
±20
V
I C
Ток коллектора постоянного тока
Tc = 25 °C
675
A
T C =80°C
450
A
I СМ
Повторяющийся пиковый ток коллектора
tp = 1 мс
900
A
P tot
Рассеиваемая мощность на IGBT
2016
W
Диод
V RRM
Повторяющееся обратное напряжение
T Vj = 25 ° C
1200
V
If (AV)
Средний прямой ток
Tc = 25 °C
675
A
T C =80°C
450
A
I FRM
Повторяющийся Пиковый прямой ток
t p = 1 мс
900
A
ХАРАКТЕРИСТИКИ МОДУЛЯ Tc =25°C, если не указано иное
Обозначение
Параметр
Условия испытания
Мин.
Typ.
Макс.
Единица измерения
Т Вдж макс.
Макс.
Температура соединения
175
°C
Рабочее давление
Рабочая температура
-40
150
°C
T stg
Температура хранения
-40
125
°C
Напряжение изоляции V isol
Испытательное напряжение изоляции
Переменный ток, t= 1 мин
3000
V
Крутящий момент
При погружении
Рекомендуемый M6
3
5
Н · м
Крутящий момент
На клемме
Рекомендуемый M6
2.5
5
Н · м
Вес
340
g
ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА
СХЕМА УПАКОВКИ
Технические характеристики этого продукта
- Номер модели - YZPST-450HF120TK-G2
- Упаковка / Кейс - Медь
- Описание - Полупроводниковый IGBT-модуль с быстрой коммутацией 450A 1200V IGBT
- Происхождение - Материковый Китай
- Напряжение - 1200V
- Принадлежности для самостоятельного изготовления - ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЕ
- Тип - IGBT МОДУЛЬ
- Место происхождения - Китай
- Серии - IGBT МОДУЛЬ
- Конфигурация - Полупроводниковый IGBT-модуль с быстрой коммутацией 450A 1200V IGBT
- Ток - 450 А
- Имя - 450A 1200 В IGBT модуль полупроводниковый IGBT
- D/C - 22+
- ICM - 900A
- Комплектация - Обжим
- Тип крепления - Обычный
- ВГЭС - ± 20 В
- IC TC = 80 ° C - 450 А
- IC TC = 25 ° C - 675A
- VCES - 1200 В
- Ptot - 2016 Вт
